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英特尔将于2013年支持DDR4内存
2011英特尔信息技术峰会（Intel Developer Forum, IDF）于4月12日至13日在北京的中国国家会议中心举行。本次会议上由英特尔公司的平台内存经理Charles Chang针对英特尔内存发展、行业发展做了一个简单的汇总。其中提及，2013年下半年英特尔将在部分平台中引进DDR4内存。
目前内存行业的现状是，预计2011上半年继续供过于求的现状，下半年才会开始好转。而DDR4内存将在2013~2014年启程，到2015年大幅度增长。英特尔将在2013年对其部分平台提供对DDR4内存的支持，当然DDR4并非一个革命性的技术，只是一个改进和延续。
三星目前已完成历史上第一款DDR4 DRAM的内存条研发，目前已面世的三星DDR4内存样品采用UDIMM类型设计，容量2G，运行电压仅1.2V。默认工作频率2133 MHz，最终频率有望突破3200MHz，成为现今运行速度最快的内存。三星电子抢先行动三个月之后，另一家半导体大厂海力士(Hynix Semiconductor)近日也宣布下代DDR4内存颗粒、内存条开发完毕。
对于DDR3内存的生态系统方面，DRAM和DIMM产业都有很多厂商通过了英特尔的内存认证，DRAM方面包括三星、海力士、尔必达、镁光和南亚，DIMM内存模组 方面包括金士顿、威刚、宇瞻和记忆等，其认证结果都会放在英特尔官方网站上面，并会定期更新。
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