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[教程资料] 内存混插双通道常见问题分析与内存工作原理

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发表于 2015-5-12 18:07:39 | 显示全部楼层 |阅读模式
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内存混插双通道常见问题分析与内存工作原理
  双通道内存技术其实是一种内存控制和管理技术,它依赖于芯片组的内存控制器发生作用,在理论上能够使两条同等规格内存所提供的带宽增长一倍。它并不是什么新技术,早就被应用于服务器和工作站系统中了,只是为了解决台式机日益窘迫的内存带宽瓶颈问题它才走到了台式机主板技术的前台。
  英特尔公司曾经推出了支持双通道内存传输技术的i820芯片组,它与RDRAM内存构成了一对黄金搭档,所发挥出来的卓绝性能使其一时成为市场的最大亮点,但生产成本过高的缺陷却造成了叫好不叫座的情况,最后被市场所淘汰。由于英特尔已经放弃了对RDRAM的支持,所以主流芯片组的双通道内存技术均是指双通道DDR内存技术,主流双通道内存平台英特尔方面是英特尔 865、875系列,而AMD方面则是NVIDIA Nforce2系列。
双通道体系
  双通道体系包含了两个独立、具备互补性的智能内存控制器,两个内存控制器都能够并行运作。例如,当控制器B准备进行下一次存取内存的时候,控制器A就读/写主内存,反之亦然。两个内存控制器的这种互补的ldquo;天性可以让有效等待时间缩减50%,因此双通道技术使内存的带宽翻了一翻。它的技术核心在于:芯片组(北桥)可以在两个不同的数据通道上分别寻址、读取数据,RAM可以达到128bit的带宽。
普通的单通道
  普通的单通道内存系统具有一个64位的内存控制器,而双通道内存系统则有2个64位的内存控制器,在双通道模式下具有128bit的内存位宽,从而在理论上把内存带宽提高一倍。虽然双64位内存体系所提供的带宽等同于一个128位内存体系所提供的带宽,但是二者所达到效果却是不同的。双通道体系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存控制器,理论上来说,两个内存控制器都能够在彼此间零延迟的情况下同时运作。
  比如说两个内存控制器,一个为A、另一个为B。当控制器B准备进行下一次存取内存的时候,控制器A就在读/写主内存,反之亦然。两个内存控制器的这种互补天性可以让等待时间缩减50%。双通道DDR的两个内存控制器在功能上是完全一样的,并且两个控制器的时序参数都是可以单独编程设定的。这样的灵活性可以让用户使用二条不同构造、容量、速度的DIMM内存条,此时双通道DDR简单地调整到最低的内存标准来实现128bit带宽,允许不同密度/等待时间特性的DIMM内存条可以可靠地共同运作。
作用
  在这两个内存通过CPU可分别寻址、读取数据,从而使内存的带宽增加一倍,数据存取速度也相应增加一倍(理论上)。流行的双通道内存构架是由两个64bit DDR内存控制器构筑而成的,其带宽可达128bit。因为双通道体系的两个内存控制器是独立的、具备互补性的智能内存控制器,因此二者能实现彼此间零等待时间,同时运作。两个内存控制器的这种互补天性可让有效等待时间缩减50%,从而使内存的带宽翻倍。双通道是一种主板芯片组(Athlon 64集成于CPU中)所采用新技术,与内存本身无关,任何DDR内存都可工作在支持双通道技术的主板上,所以不存在所谓内存支持双通道的说法。
  1.不可将不同类型的内存混插。一般来说,不同类型的内存的工作电压存在较大的差异,而这个值远远高于内存本身的承受能力,而且不同类型的内存电气接口也大不相同,所以不可将不同类型的内存进行混插。即使主板上提供了两种或两种以上不同类型的内存插槽,除非主板拥有特殊设置项,如果将不同类型的内存混插,由于电压等多种因素的存在,可能会缩短内存的使用寿命,甚至导致内存的烧毁。这也就是一般情况下不建议EDO~SDRAM在同一主板上同时使用的原因。
  2.不将同类型不同电压的内存进行混插。即使是SDRAM也有3.5V、3.3V之分,如果将这两种不同电压的内存混插,不仅会造成计算机不稳定现象的出现,而且会加速低电压内存的老化甚至是烧毁。
  3.注意内存负载。任何主板芯片组都对DIMM内存插槽(或是其他形式的内存插槽)进行最大输出功率的限制,这也就是我们同时使用多根双面内存将所有内存插槽插满,而内存总容量并没有达到主板芯片组所支持的内存上线时,计算机无法识别内存总容量,甚至是无法开启的一个重要原因。一般来说,在进行内存混插时,如果出现内存插槽插满的情况,其中一根至少应该使用单面内存条。


  1.无法正常开机,甚至出现黑屏。这类现象主要有三个解决的途径:第一,更换内存的位置,这是最为简单也是最为常用的一种方法。第二,在基本能开机的前提下,进入BIOS设置,将内存的相应项(包括CAS等)设置成为低规范的相应值。第三,使用其中的一根内存(如果是PCI00和PCI33的内存混合使用,最好使用PCI00的内存),将计算机启动,进入BIOS设置,强行将内存的相应项设置成为低规范的相应值,确定无误后,方可关机插入第二根内存。
  2.计算机运行不稳定。这类问题的出现主要是内存兼容性造成的,解决的基本思路是:第一,更换内存的位置。第二,升级更新更好的操作系统,一般来说新的操作系统拥有更好的管理机制,能更好地使用和调配不同型号的硬件。第三,如主板支持,使用主板上内存异步项强行设置内存的工作频率(以低规格的为准)。这种方法对使用PⅢ铜矿而又同时使用PCI00和PCI33的内存的情况相当有效。
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  如果内存温度过高,出现这种现象的最大的可能性就是使用了不同电压的内存进行混插。解决的方法主要看主板是否支持内存电压可调,如果主板支持,可在主板上或BIOS中强行设置内存的电压为所有混插内存中的电压最低值。
  3.混插后内存的总值和电脑检测的内存值不等。造成这种现象的原因,第一种可能是由于主板BIOS版本过低,所能支持内存的总值拥有一个上线限制,超过上线值的部分均下能识别和使用,解决的方法是下载主板最新的BIOS程序进行刷新;第二种可能是主板芯片组自身的原因所造成的,一些老主板只支持256MB内存的容量(甚至更低),超出256MB的部分,均不能识别和使用,解决这问题的惟一方法就是更换主板。

  既然内存是用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序,那么它是怎么工作的呢?我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存(即DRAM),动态内存中所谓的动态,指的是当我们将数据写入DRAM后,经过一段时间,数据会丢失,因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。以相同速度高速地、随机地写入和读出数据(写入速度和读出速度可以不同)的一种半导体存储器。
  简称RAM。RAM的优点是存取速度快、读写方便,缺点是数据不能长久保持,断电后自行消失,因此主要用于计算机主存储器等要求快速存储的系统。按工作方式不同,可分为静态和动态两类。
  静态随机存储器(SRAM)的单元电路是触发器,存入的信息在规定的电源电压下便不会改变。SRAM速度快,使用方便。
  动态随机存储器(DRAM)的单元由一个金属-氧化物-半导体(MOS)电容和一个MOS晶体管构成,数据以电荷形式存放在电容之中,需每隔2~4毫秒对单元电路存储信息重写一次(刷新)。DRAM存储单元器件数量少,集成度高,应用广泛。


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